transistor de canal N 2SK2699, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V

transistor de canal N 2SK2699, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
4.49€
5-24
3.97€
25-49
3.59€
50+
3.25€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 197

Transistor de canal N 2SK2699, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.50 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO3P ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 2600pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 270pF. Diodo Trr (Mín.): 460 ns. Función: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Identificación (diablillo): 48A. Marcado en la caja: K2699. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31

Documentación técnica (PDF)
2SK2699
30 parámetros
DI (T=100°C)
6A
DI (T=25°C)
12A
Idss (máx.)
100uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.50 Ohms
Vivienda
TO-3P ( TO3P )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-3P
Voltaje Vds(máx.)
600V
C(pulg)
2600pF
Cantidad por caja
1
Costo)
270pF
Diodo Trr (Mín.)
460 ns
Función
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Identificación (diablillo)
48A
Marcado en la caja
K2699
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
150W
Protección G-S
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Td(apagado)
65 ns
Td(encendido)
45 ns
Tecnología
Transistor de efecto de campo
Temperatura
+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
Toshiba

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