transistor de canal N STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V

transistor de canal N STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
4.46€
5-24
3.94€
25-49
3.33€
50+
3.01€
+23 piezas adicionales disponibles en stock remoto (suministro en 4 horas). ¡Contáctanos para consultar precios y disponibilidad!
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 12

Transistor de canal N STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 600V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.48 Ohms. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 50mA. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 2030pF. Cantidad por caja: 1. Corriente máxima de drenaje: 13A. Costo): 210pF. Diodo Trr (Mín.): 570 ns. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. IDss (mín.): 1mA. Identificación (diablillo): 40A. Marcado en la caja: W13NK60Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. Potencia: 150W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Spec info: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA. Td(apagado): 61 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 30. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58

Documentación técnica (PDF)
STW13NK60Z
37 parámetros
Tensión drenaje-fuente (Vds)
600V
Resistencia en encendido Rds activado
0.48 Ohms
DI (T=100°C)
8A
DI (T=25°C)
13A
Idss (máx.)
50mA
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247
Voltaje Vds(máx.)
600V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
2030pF
Cantidad por caja
1
Corriente máxima de drenaje
13A
Costo)
210pF
Diodo Trr (Mín.)
570 ns
Función
HIGH Current, HIGH Speed Switching
IDss (mín.)
1mA
Identificación (diablillo)
40A
Marcado en la caja
W13NK60Z
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
160W
Potencia
150W
Protección G-S
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Spec info
CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA
Td(apagado)
61 ns
Td(encendido)
22 ns
Tecnología
Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
30
Vgs(th) máx.
4.5V
Vgs(th) mín.
3V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics

Productos y/o accesorios equivalentes para STW13NK60Z