Transistor de canal N 2SK2700, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.7 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 750pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 70pF. Diodo Trr (Mín.): 1100 ns. Función: Alta velocidad, conmutación de alto voltaje, convertidores CC/CC. Identificación (diablillo): 9A. Marcado en la caja: K2700. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 55 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31