transistor de canal N 2SK2843, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V

transistor de canal N 2SK2843, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.63€
5-9
3.25€
10-24
3.00€
25-49
2.81€
50+
2.50€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 16

Transistor de canal N 2SK2843, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F ( 2-10R1B ). Voltaje Vds(máx.): 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 2040pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 230pF. Diodo Trr (Mín.): 1300 ns. Función: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. IDss (mín.): na. Identificación (diablillo): 40A. Marcado en la caja: K2843. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 190 ns. Td(encendido): 58 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo, tipo MOS (TT.MOSV). Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 01:03

Documentación técnica (PDF)
2SK2843
32 parámetros
DI (T=25°C)
10A
Idss (máx.)
100uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.54 Ohms
Vivienda
TO-220FP
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220F ( 2-10R1B )
Voltaje Vds(máx.)
600V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
2040pF
Cantidad por caja
1
Costo)
230pF
Diodo Trr (Mín.)
1300 ns
Función
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
IDss (mín.)
na
Identificación (diablillo)
40A
Marcado en la caja
K2843
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
45W
Protección G-S
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Td(apagado)
190 ns
Td(encendido)
58 ns
Tecnología
Transistor de efecto de campo, tipo MOS (TT.MOSV)
Temperatura
+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
50
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
Toshiba

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