Transistor de canal N FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.72 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FN. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1500pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 170pF. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): na. Identificación (diablillo): 30A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Mitsubishi Electric Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19