Transistor de canal N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V - 2SK3176

Transistor de canal N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V - 2SK3176. Transistor de canal N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. DI (T=100°C): n/a. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 38m Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1B. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 5400pF. Costo): 1900pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Regulador de modo de conmutación, convertidor CC-CC, controlador de motor. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 190 ns. Td(encendido): 55 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo MOS-V. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Producto original del fabricante Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/05/2025, 10:25.