Transistor de canal N 2SK3561, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.75 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1050pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 110pF. Diodo Trr (Mín.): 1200 ns. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 32A. Marcado en la caja: K3561. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 26 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31