Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor de canal N, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - 2SK3563

Transistor de canal N, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - 2SK3563
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1 - 4 3.60€ 4.36€
5 - 9 3.42€ 4.14€
10 - 24 3.31€ 4.01€
25 - 49 3.24€ 3.92€
50 - 59 2.99€ 3.62€
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Transistor de canal N, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - 2SK3563. Transistor de canal N, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 5A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 5A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.35 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 550pF. Costo): 70pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 20A. Marcado en la caja: K3563. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVI). Producto original del fabricante Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 04/07/2025, 00:25.

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Transistor de canal N, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 6A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.9 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 24A. Marcado en la caja: K3562. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVI)
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Transistor de canal N, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1200pF. Costo): 20pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Alta velocidad, conmutación de alto voltaje, convertidores CC/CC. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 15A. Marcado en la caja: K2717. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 90 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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