Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3667

Transistor de canal N, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3667
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1 - 1 6.90€ 8.35€
2 - 2 6.56€ 7.94€
3 - 4 6.21€ 7.51€
5 - 9 5.87€ 7.10€
10 - 10 5.73€ 6.93€
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Transistor de canal N, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3667. Transistor de canal N, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 7.5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.75 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 30A. Marcado en la caja: K3667. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.

Documentación técnica

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STP9NK60ZFP

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Transistor de canal N, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 4.4A. DI ...
STP9NK60ZFP
Transistor de canal N, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1110pF. Costo): 135pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Identificación (diablillo): 28A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P9NK60ZFP. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí
STP9NK60ZFP
Transistor de canal N, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1110pF. Costo): 135pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Identificación (diablillo): 28A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P9NK60ZFP. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí
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