Transistor de canal N 2SK3878, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=100°C): 5.3A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 900V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 2200pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 45pF. Diodo Trr (Mín.): 1.4us. Función: Aplicaciones del regulador de conmutación. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 27A. Marcado en la caja: K3878. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 65 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 25. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25