Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V - 2SK3936

Transistor de canal N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V - 2SK3936
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1 - 1 17.13€ 20.73€
2 - 2 16.27€ 19.69€
3 - 4 15.42€ 18.66€
5 - 9 14.56€ 17.62€
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Transistor de canal N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V - 2SK3936. Transistor de canal N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 4250pF. Costo): 420pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 380 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Regulador de conmutación. Identificación (diablillo): 92A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 80 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: Tipo MOS de efecto de campo (MACH-II-MOS VI). Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: sí. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.

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Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V, 30. Vivienda: s...
STW20NK50Z
Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V, 30. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.23 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 500V. Vivienda (norma JEDEC): 30. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: W20NK50Z. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 28 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 70 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2600pF. Disipación máxima Ptot [W]: 190W. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 28 ns. Tecnología: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V, 30. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.23 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 500V. Vivienda (norma JEDEC): 30. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: W20NK50Z. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 28 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 70 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2600pF. Disipación máxima Ptot [W]: 190W. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 28 ns. Tecnología: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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