Transistor de canal N, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V - 2SK904

Transistor de canal N, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V - 2SK904. Transistor de canal N, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 900pF. Costo): 90pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 12A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: V-MOS S-L. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.