Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V - ALF08N20V

Transistor de canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V - ALF08N20V
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 1 28.18€ 34.10€
2 - 2 26.77€ 32.39€
3 - 4 25.36€ 30.69€
5 - 9 23.96€ 28.99€
10 - 14 23.39€ 28.30€
15 - 19 22.83€ 27.62€
20+ 21.98€ 26.60€
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Transistor de canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V - ALF08N20V. Transistor de canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 500pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUDIO POWER MOSFET. IDss (mín.): 10mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 100 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 14V. Spec info: transistor complementario (par) ALF08P20V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.

Documentación técnica

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ECX10N20

ECX10N20

Transistor de canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Viviend...
ECX10N20
Transistor de canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 200V. Distribución de pines: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(pulg): 500pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Varios: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Amplificador de potencia de audio MOSFET. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 100 ns. Tecnología: N–CHANNEL POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 14V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 1.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.15V. Spec info: transistor complementario (par) ECX10P20. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS
ECX10N20
Transistor de canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 200V. Distribución de pines: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(pulg): 500pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Varios: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Amplificador de potencia de audio MOSFET. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 100 ns. Tecnología: N–CHANNEL POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 14V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 1.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.15V. Spec info: transistor complementario (par) ECX10P20. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS
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