Transistor de canal N, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3400A

Transistor de canal N, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3400A. Transistor de canal N, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 5.7A. Resistencia en encendido Rds activado: 22m Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 630pF. Costo): 75pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 16.8 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones de conmutación o PWM. Identificación (diablillo): 25A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 21.5 ns. Td(encendido): 3.2 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.