Transistor de canal N, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3407A

Transistor de canal N, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3407A. Transistor de canal N, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=100°C): 3.5A. DI (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 4.1A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.052 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 520pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones de conmutación o PWM. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 25A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.4W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 7.5 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Producto original del fabricante Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 03/07/2025, 23:25.