Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.27€ | 0.33€ |
25 - 49 | 0.25€ | 0.30€ |
50 - 99 | 0.24€ | 0.29€ |
100 - 220 | 0.22€ | 0.27€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.27€ | 0.33€ |
25 - 49 | 0.25€ | 0.30€ |
50 - 99 | 0.24€ | 0.29€ |
100 - 220 | 0.22€ | 0.27€ |
Transistor de canal N, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V - AO3416. Transistor de canal N, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 18M Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 1160pF. Costo): 187pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 17.7 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 30A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.4W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 51.7 ns. Td(encendido): 6.2 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Protegido contra ESD. Protección G-S: sí. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.
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