Transistor de canal N, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4710

Transistor de canal N, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4710. Transistor de canal N, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 12.7A. Idss (máx.): 20mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0098 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1980pF. Costo): 317pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 11.2 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 60A. IDss (mín.): 0.02mA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 27 ns. Td(encendido): 5.5 ns. Tecnología: Efecto de campo del modo de mejora (SRFET) . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 2.3V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Cantidad por caja: 1. Función: FET en SMPS, conmutación de carga. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.