Transistor de canal N, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4714

Transistor de canal N, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4714. Transistor de canal N, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (máx.): 20mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0039 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 3760pF. Costo): 682pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 18 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 100A. IDss (mín.): 0.1mA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 34 ns. Td(encendido): 9.5 ns. Tecnología: Efecto de campo del modo de mejora (SRFET) . Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.