Transistor de canal N, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4716

Transistor de canal N, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4716. Transistor de canal N, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 9.6A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 20mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0058 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2154pF. Costo): 474pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 12 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 180A. IDss (mín.): 0.1mA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 25.2 ns. Td(encendido): 6.8 ns. Tecnología: Efecto de campo del modo de mejora (SRFET) . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.3V. Cantidad por caja: 1. Función: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.