Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.19€ | 3.86€ |
5 - 9 | 3.03€ | 3.67€ |
10 - 24 | 2.87€ | 3.47€ |
25 - 49 | 2.71€ | 3.28€ |
50 - 62 | 2.65€ | 3.21€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.19€ | 3.86€ |
5 - 9 | 3.03€ | 3.67€ |
10 - 24 | 2.87€ | 3.47€ |
25 - 49 | 2.71€ | 3.28€ |
50 - 62 | 2.65€ | 3.21€ |
Transistor de canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v - AP40T03GJ. Transistor de canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 25m Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 655pF. Costo): 145pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 95A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 40T03 GP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.
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