Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.62€ | 0.75€ |
10 - 24 | 0.59€ | 0.71€ |
25 - 49 | 0.56€ | 0.68€ |
50 - 99 | 0.53€ | 0.64€ |
100 - 249 | 0.52€ | 0.63€ |
250 - 499 | 0.50€ | 0.61€ |
500 - 2868 | 0.48€ | 0.58€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.62€ | 0.75€ |
10 - 24 | 0.59€ | 0.71€ |
25 - 49 | 0.56€ | 0.68€ |
50 - 99 | 0.53€ | 0.64€ |
100 - 249 | 0.52€ | 0.63€ |
250 - 499 | 0.50€ | 0.61€ |
500 - 2868 | 0.48€ | 0.58€ |
Transistor de canal N, 25mA, 6.5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BF545A. Transistor de canal N, 25mA, 6.5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 6.5mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Función: HF-VHF. IDss (mín.): 2mA. IGF: 10mA. Marcado en la caja: 20*. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 2mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de efecto de campo de unión de silicio. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.2V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.4V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.
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