Transistor de canal N, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v - BSP100

Transistor de canal N, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v - BSP100. Transistor de canal N, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100nA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 250pF. Costo): 88pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 24A. IDss (mín.): 10nA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 8.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 6 ns. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.8V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnología: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 09:25.