Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.26€ | 0.31€ |
25 - 49 | 0.25€ | 0.30€ |
50 - 99 | 0.24€ | 0.29€ |
100 - 249 | 0.17€ | 0.21€ |
250 - 499 | 0.17€ | 0.21€ |
500 - 2511 | 0.16€ | 0.19€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.26€ | 0.31€ |
25 - 49 | 0.25€ | 0.30€ |
50 - 99 | 0.24€ | 0.29€ |
100 - 249 | 0.17€ | 0.21€ |
250 - 499 | 0.17€ | 0.21€ |
500 - 2511 | 0.16€ | 0.19€ |
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A - BSS123LT1G. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SA. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.6V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 20pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Producto original del fabricante On Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 12/08/2025, 14:08.
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