Transistor de canal N, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V - BST82

Transistor de canal N, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V - BST82. Transistor de canal N, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=100°C): 0.12A. DI (T=25°C): 0.19A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 25pF. Costo): 8.5pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Cambio muy rápido. Identificación (diablillo): 0.8A. IDss (mín.): 0.01uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: compatible con nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 09:25.