Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 7.86€ | 9.51€ |
2 - 2 | 7.47€ | 9.04€ |
3 - 4 | 7.08€ | 8.57€ |
5 - 9 | 6.68€ | 8.08€ |
10 - 19 | 6.53€ | 7.90€ |
20 - 29 | 6.37€ | 7.71€ |
30 - 898 | 6.13€ | 7.42€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 7.86€ | 9.51€ |
2 - 2 | 7.47€ | 9.04€ |
3 - 4 | 7.08€ | 8.57€ |
5 - 9 | 6.68€ | 8.08€ |
10 - 19 | 6.53€ | 7.90€ |
20 - 29 | 6.37€ | 7.71€ |
30 - 898 | 6.13€ | 7.42€ |
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK/5, TO-263, 41V, 9.8A - BTS436L2GATMA1. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK/5, TO-263, 41V, 9.8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK/5. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 41V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 200us. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 250us. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 09:25.
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