Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

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Transistor de canal N, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - BUK455-600B. Transistor de canal N, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 20uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.1 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 750pF. Costo): 90pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Power MOSFET SMPS. Identificación (diablillo): 16A. IDss (mín.): 2uA. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 10 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 09:25.

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