Transistor de canal N BUZ11, TO-220, 50V, 0.03 Ohms, 50V, 19A, 30A, 100uA, TO-220AC, 50V. Vivienda: TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): 50V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.03 Ohms. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 50V. DI (T=100°C): 19A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 100uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. Voltaje Vds(máx.): 50V. C(pulg): 1500pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1500pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente máxima de drenaje: 30A. Costo): 750pF. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 30A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. Marcado del fabricante: BUZ11. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 180 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 180 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 08:57