Transistor de canal N BUZ72A, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.23 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 330pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 90pF. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Identificación (diablillo): 44A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Temperatura: +175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 08:57