Transistor de canal N BUZ76, 2A, 3A, 3A, 1.8 Ohms, 400V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.8 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 400V. Cantidad por caja: 1. Función: transistor MOSFET. Nota: <57/115ns. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tecnología: V-MOS. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 08:57