Transistor de canal N, 200A, Otro, Otro, 1200V - CM200DY-24H

Transistor de canal N, 200A, Otro, Otro, 1200V - CM200DY-24H. Transistor de canal N, 200A, Otro, Otro, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): Otro. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 40pF. Costo): 14pF. Tipo de canal: N. Función: Transistor IGBT dual (aislado). Corriente del colector: 200A. Ic (pulso): 400A. Dimensiones: 108x62x31mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 1500W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 300 ns. Td(encendido): 250 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 6V. Número de terminales: 7. Spec info: Conmutación de alta potencia. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 15:25.