Transistor de canal N, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, Caja de plástico de 2 mm × 2 mm, 30 v - CSD17313Q2T

Transistor de canal N, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, Caja de plástico de 2 mm × 2 mm, 30 v - CSD17313Q2T. Transistor de canal N, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, Caja de plástico de 2 mm × 2 mm, 30 v. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.024...0.042 Ohms. Vivienda: WSON6. Vivienda (según ficha técnica): Caja de plástico de 2 mm × 2 mm. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 260pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 57A. Número de terminales: 6. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 17W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 4.2 ns. Td(encendido): 2.8 ns. Tecnología: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.9V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 15:25.