Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.19€ | 3.86€ |
5 - 9 | 3.03€ | 3.67€ |
10 - 24 | 2.93€ | 3.55€ |
25 - 49 | 2.87€ | 3.47€ |
50 - 58 | 2.80€ | 3.39€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.19€ | 3.86€ |
5 - 9 | 3.03€ | 3.67€ |
10 - 24 | 2.93€ | 3.55€ |
25 - 49 | 2.87€ | 3.47€ |
50 - 58 | 2.80€ | 3.39€ |
Transistor de canal N, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V - FDB8447L. Transistor de canal N, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0087 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 1970pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 100A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/05/2025, 22:25.
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