Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - FDP3632

Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - FDP3632. Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.009 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 6000pF. Costo): 820pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC/CC e inversores UPS. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 310W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/05/2025, 20:25.