Transistor de canal N, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v - FDS6690A

Transistor de canal N, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v - FDS6690A. Transistor de canal N, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 9.8m Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1205pF. Costo): 290pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 2500. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 50A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Función: control de nivel lógico. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 20:25.