Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 8.2A, 30 v, 8.2A/6.9A - FDS6900AS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 8.2A, 30 v, 8.2A/6.9A - FDS6900AS. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 8.2A, 30 v, 8.2A/6.9A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): 8.2A. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: FDS6900AS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 29 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 570pF/600pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 20:25.