Transistor de canal N, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V - FGB20N60SF

Transistor de canal N, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V - FGB20N60SF. Transistor de canal N, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2-PAK. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 940pF. Costo): 110pF. Tipo de canal: N. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 60A. Marcado en la caja: FGB20N60SF. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 12 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.4V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminales: 2. Función: inversor solar, UPS, máquina de soldar, PFC. Nota: Transistor MOS IGBT de canal N. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 20:25.