Transistor de canal N, 25A, Otro, Otro, 1200V - FP25R12W2T4

Transistor de canal N, 25A, Otro, Otro, 1200V - FP25R12W2T4. Transistor de canal N, 25A, Otro, Otro, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): Otro. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 1.45pF. Tipo de canal: N. Corriente del colector: 39A. Ic (pulso): 50A. Dimensiones: 56.7x48x12mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 175W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 0.46 ns. Td(encendido): 0.08 ns. Tecnología: Módulo híbrido IGBT. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.25V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.2V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.4V. Función: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Número de terminales: 33dB. Nota: 7x IGBT+ CE Diode. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 20:25.