Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-3PN, 800V, 12.6A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 1 - FQA13N80-F109

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-3PN, 800V, 12.6A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 1 - FQA13N80-F109. Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-3PN, 800V, 12.6A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 1. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3PN. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 800V. Vivienda (norma JEDEC): 1. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FQA13N80. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 130 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 320 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3500pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 155 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 20:25.