Transistor de canal N, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V - FQA28N15

Transistor de canal N, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V - FQA28N15. Transistor de canal N, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. DI (T=100°C): 23.3A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.067 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 1250pF. Costo): 260pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 132A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 227W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: Tecnología DMOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja (típica 40 nC). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.