Transistor de canal N, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V - FQA70N10

Transistor de canal N, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V - FQA70N10. Transistor de canal N, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. DI (T=100°C): 49.5A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.019 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 2500pF. Costo): 720pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 280A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 214W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: Tecnología DMOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 30. Spec info: carga de puerta baja (típica 85 nC). Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.