Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-3P, 900V, 7.2A, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V, 30, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - FQAF11N90C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-3P, 900V, 7.2A, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V, 30, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - FQAF11N90C. Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-3P, 900V, 7.2A, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V, 30, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-3P. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.91 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Voltaje Vds(máx.): 900V. Vivienda (norma JEDEC): 30. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FQAF11N90C. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 130 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 270 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 120W. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.