transistor de canal N FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Descripción técnica del producto (FQP13N50):

transistor de canal N FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 7.9A. DI (T=25°C): 12.5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.33 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 245pF. Diodo Trr (Mín.): 290 ns. Función: Velocidad de conmutación rápida. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 50A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V