Transistor de canal N, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FQP13N50C

Transistor de canal N, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FQP13N50C. Transistor de canal N, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.39 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1580pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 410 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 52A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 195W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Tecnología: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET). Spec info: carga de puerta baja (típica 43 nC). Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.