Transistor de canal N, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V - FQP33N10

Transistor de canal N, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V - FQP33N10. Transistor de canal N, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.04 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1150pF. Costo): 320pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 132A. IDss (mín.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 80 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 127W. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.