Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V - FQPF11N50CF

Transistor de canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V - FQPF11N50CF
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1 - 4 3.46€ 4.19€
5 - 9 3.28€ 3.97€
10 - 24 3.11€ 3.76€
25 - 49 2.94€ 3.56€
50 - 53 2.87€ 3.47€
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Transistor de canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V - FQPF11N50CF. Transistor de canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.48 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1515pF. Costo): 185pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: QFET ® FRFET ® MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 43 nC, Crss bajo 20 pF. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.

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Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.39 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP-3-1. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacitancia efectiva ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 33A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 11N80C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 41W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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