Transistor de canal N FQPF19N20, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 11.8A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.12 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1220pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 220pF. Diodo Trr (Mín.): 140 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 48A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41