Transistor de canal N, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF3N80C

Transistor de canal N, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF3N80C. Transistor de canal N, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 1.9A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 543pF. Costo): 54pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 642 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 12A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 39W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 22.5 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 13 nC, Crss bajo 5,5 pF. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.