Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - FQPF4N90C

Transistor de canal N, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - FQPF4N90C
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1 - 4 2.03€ 2.46€
5 - 9 1.93€ 2.34€
10 - 24 1.82€ 2.20€
25 - 38 1.72€ 2.08€
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Transistor de canal N, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - FQPF4N90C. Transistor de canal N, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.5 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 740pF. Costo): 65pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 16A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 47W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 17 nC, Crss bajo 5,6 pF. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.

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Transistor de canal N, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°...
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Transistor de canal N, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1150pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 900ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 15A. Marcado en la caja: K3565. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 170 ns. Td(encendido): 70 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSIV). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: sí
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Transistor de canal N, 5A, 250uA, 2.1 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.1 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F15. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1140pF. Costo): 105pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): na. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): na. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 210 ns. Td(encendido): 55 ns. Tecnología: HVX-2 Series POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS
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