Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF7N80C

Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF7N80C. Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.57 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1290pF. Costo): 120pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 26.4A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 56W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: carga de puerta baja (típica 40 nC), Low Crss 10 pF. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.