Transistor de canal N, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V - FQPF85N06

Transistor de canal N, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V - FQPF85N06. Transistor de canal N, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. DI (T=100°C): 37.5A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 3170pF. Costo): 1150pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 212A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 62W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 170 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: DMOS, QFET MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 17 nC, Crss bajo 5,6 pF. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.